在AI算力需求持续爆发的背景下，存储技术正成为决定下一代数据中心性能的关键瓶颈。加州当地时间16日周一，韩国三星电子在英伟达举行的年度开发者大会GTC上首次公开展示下一代高带宽存储芯片HBM4E，并重点展示其与英伟达在AI计算平台上的合作。
三星此次展示的HBM4E被视为其下一代AI内存路线图的重要节点：该产品预计单引脚速度可达16Gbps、总带宽达到4TB/s，目标面向未来AI加速器与超大规模数据中心。业内普遍认为，这一发布标志着AI芯片生态中“算力—存储”协同升级进入新阶段，同时也加剧了三星与SK海力士等厂商在HBM市场的竞争。
首次公开展示HBM4E：AI存储带宽再跃升在本届英伟达GTC大会上，三星首次公开展示HBM4E实物芯片，也就是三星的第七代高带宽内存（HBM）技术。HBM4E定位为HBM4的升级版本，旨在为下一代AI加速器提供更高带宽和更低延迟。
根据三星披露的信息，HBM4E预计将实现：
单引脚传输速度 16Gbps单堆栈带宽 最高约4TB/s面向下一代AI和高性能计算系统相比此前HBM产品，该性能水平进一步提升了AI模型训练和推理所需的数据吞吐能力，被认为是支撑万亿参数模型与AI数据中心扩张的关键基础设施。
HBM技术通过3D堆叠方式将多个DRAM芯片垂直连接，大幅提高内存带宽并降低功耗，目前已成为AI GPU和加速器的核心组件。
与英伟达深化合作 瞄准下一代AI平台三星在GTC展示的另一核心信息，是其与英伟达在AI基础设施上的合作深化。
三星表示，其HBM产品路线图将面向英伟达下一代AI平台进行优化，包括为未来AI系统提供完整存储解决方案。
业内普遍认为，HBM4与HBM4E将成为未来AI GPU平台的重要配套内存。例如，英伟达下一代AI架构平台预计将搭载HBM4内存，并对带宽提出更高要求。
在AI算力竞赛中，GPU性能增长往往依赖更高带宽内存支撑，否则会出现“算力被内存限制”的瓶颈。因此，大型AI芯片厂商正不断推动HBM技术升级，以满足模型规模快速增长带来的数据传输需求。
HBM4已进入量产阶段，AI需求推动升级周期在展示HBM4E的同时，三星还强调其HBM4产品已进入商业化阶段。
公司此前宣布，HBM4已经开始量产，数据传输速度达到 11.7Gbps，并可提升至13Gbps，同时通过先进DRAM工艺和堆叠技术提升带宽和能效。
HBM4在带宽、功耗和热管理方面均较HBM3E显著改进，例如：
单堆栈带宽最高可达3.3TB/s
能效提升约40%
热管理能力进一步增强
随着AI模型规模不断扩大，HBM已成为AI服务器成本结构中增长最快的关键组件之一。
三星与SK海力士竞争升级 HBM市场进入关键阶段三星此次展示HBM4E，也被视为其在HBM市场与SK hynix竞争的重要一步。
过去两年，SK海力士凭借HBM3和HBM3E产品在AI GPU供应链中占据领先地位，而三星正通过HBM4和HBM4E加快技术追赶。
随着AI算力投资持续增长，HBM需求正迅速扩大。业内预计，未来几年HBM将成为DRAM行业增长最快的细分市场，并成为AI产业链中的核心战略资源。
在此背景下，从GPU厂商到存储厂商，围绕AI算力平台的技术升级与供应链竞争正全面升温。
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